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通过相同材料电阻的比值来抵消带隙基准源的一阶温度系数来达到低温度系数,同时还设计了修调电路进一步提高基准电压的精度。采用0.8μm BiCMOS 9V工艺流片,带隙基准源面积为0.035 mm~2。结果表明：在-40℃~125℃范围内,基准电压的温度系数为11×10~（-6）/℃;电源电压在4.5 V~9.0 V范围内变化时,基准电压的变化量为0.4 m V,电源调整率为0.09 m V/V。