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使用自行研制的MPCVD装置,在功率为8 kW条件下、气体由四种方式进出反应腔体时,在直径65 mm的Si基片上制备了金刚石膜。分别利用数字千分尺和Raman光谱对金刚石膜的厚度和品质均匀性进行了表征。使用Comsol软件模拟了不同进出气方式下腔体内部气体流场的分布,并分析了气体进出方式与所制备金刚石膜均匀性之间的关系。研究表明,反应气体进出位置的改变对等离子体的状态没有明显的影响,但对膜的厚度和品质均匀性有影响较大。气体由中间腔体侧壁上的进气孔进入时,容易造成膜厚度和品质的不均匀性。气体由耦合天线的圆盘