【摘 要】
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基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CMOS)工艺,设计了P+/N-well/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元.像素单元面积为100 μm×100 μm,感
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基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CMOS)工艺,设计了P+/N-well/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元.像素单元面积为100 μm×100 μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层多晶硅CMOS工艺研制.测试分析结果表明P+/N-well/P-sub结构在暗电流大小,光照响应信号大小,感光灵敏度和感光动态范围上均优于传统的N+/P-sub结构.通过改变复位信号频率,将P+/N-well/P-sub结构像素的感
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