Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。 Vishay Intertechnology, Inc. today announced the release of the new 8 V N-Channel Trench-FET ~  Power MOSFET-SiA436DJ. The device features a thermally enhanced PowerPAK® SC-70 footprint of 2 mm × 2 mm with the lowest on-resistance of N-channel devices. The new SiA436DJ features 9.4 mΩ2, 10.5 mΩ, 12.5 mΩ, 18 mΩ, and 36 mΩ ultra-low on-resistance at 4.5 V, 2.5 V, 1.8 V, 1.5 V and 1.2 V. On-resistance values ​​are up to 18% lower than previous generations and up to 64% lower than the nearest N-channel device with a footprint of 2 mm × 2 mm.
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