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研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺，制备了两组TiO2系压敏陶瓷，借助热电子发射理论，分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现，Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压（E10mA=5．03V·mm^-1）和最大的视在介电常数（εm=1．5×10^5）。