【摘 要】
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采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜.X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度
【机 构】
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四川大学,中科院上海微系统与信息技术研究所
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采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜.X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强.光致发光谱测量发现,样品分别在3.28 eV和2.48 eV存在紫外发射和深能级发射两个较强的发射峰,并且随着退火温度升高,深能级发射逐渐减弱,紫外发射峰得到进一步改善.四探针测试电阻率结果表明,随着退火温度的升高,ZnO薄膜的电阻率呈线性增加.
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