高择优取向（100）PZT铁电薄膜的磁控溅射生长

来源 :江西科学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：youhayou

【摘要】

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以射频(RF)磁控溅射法分别在Si(111)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上溅射沉积LaNiO3(LNO)薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理(500℃

【作者】

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王震东赖珍荃张景基

【机构】

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南昌大学理学院,南昌大学理学院,南昌大学材料科学与工程系

【出处】

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江西科学

【发表日期】

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2005年5期

【关键词】

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LaNiO3电极 PZT铁电薄膜射频溅射择优取向 LaNiO3 electrode PZT ferroelectric thin films RF sp

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以射频(RF)磁控溅射法分别在Si(111)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上溅射沉积LaNiO3(LNO)薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理(500℃/10 min).X射线衍射(XRD)分析表明:Si(111)基底上LNO电极表现出高度的(100)取向,而Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上LNO电极则表现较强的(111)择优取向.然后在(100)LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度(100)

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