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期刊论文
γ辐照对硅单晶电学参数的影响
γ辐照对硅单晶电学参数的影响
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:adroithy
【摘 要】
:
对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大而对
【作 者】
:
张继荣
史继祥
佟丽英
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2005年5期
【关键词】
:
Γ辐照
硅单晶
电阻率
少子寿命
radiation
Si crystal
resistivity
minority carriers lifetime
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对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大而对其少子寿命影响很大.
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