【摘 要】
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基于密度泛函理论的第一性原理,使用GGA+U方法分别计算Se和Cd单掺与共掺杂GaN体系的晶格常数、电子结构及光学性质.结果表明:与本征GaN相比,掺杂后体系的晶格常数发生了改变,禁带宽度减小,吸收光谱均发生红移,表明掺杂使体系的光谱响应范围得到更大拓展.其中,Cd单掺GaN体系的禁带宽度最小,并在费米能级附近有杂质能级出现,说明该体系电子跃迁所需的能量最少.该体系在可见光范围内吸收系数最大,且红外现象最为明显,可推测出Cd-GaN体系的光催化性能最好,可为降解污染物提供更多的选择.
【机 构】
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伊犁师范大学 物理科学与技术学院 新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆 伊宁 835000
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基于密度泛函理论的第一性原理,使用GGA+U方法分别计算Se和Cd单掺与共掺杂GaN体系的晶格常数、电子结构及光学性质.结果表明:与本征GaN相比,掺杂后体系的晶格常数发生了改变,禁带宽度减小,吸收光谱均发生红移,表明掺杂使体系的光谱响应范围得到更大拓展.其中,Cd单掺GaN体系的禁带宽度最小,并在费米能级附近有杂质能级出现,说明该体系电子跃迁所需的能量最少.该体系在可见光范围内吸收系数最大,且红外现象最为明显,可推测出Cd-GaN体系的光催化性能最好,可为降解污染物提供更多的选择.
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