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背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF—HNO3体系，没有表面保护。用扫描电镜（SEM）观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅／铝界面情况，分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的ISC、VOC和电池效率都得到了提高。