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采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.
大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能
【摘 要】
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采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.
【机 构】
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哈尔滨师范大学阿城学院物理系,哈尔滨师范大学物理系
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2002年2期
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