耐高压单色QLED器件制备

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本文通过磁控溅射和有机蒸镀的方法分别制备了量子点LED(QLED)的ZnO电子传输层和NPB空穴传输层,构建了基于Cd Se/Cd S/ZnS量子点作为发光层的红光QLED。通过优化电子传输层和空穴传输层制备工艺得到了稳定的耐高压单色器件,测试结果表明该器件在10-15V范围均可持续稳定地发出红光。
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