论文部分内容阅读
通过对原子层沉积过程的计算机仿真，分析不同沉积条件对沉积过程的影响。以H-Si（100）表面原子层沉积Al2O3的过程为基础，通过分析基片上不同表面功能团之间的相互作用，将整个沉积过程分为初始沉积和后续生长两个阶段。基于不同的阶段建立相应的前驱体到达事件模型、反应事件模型以及表面解吸事件模型。采用动力学晶格蒙特卡罗方法实现这一沉积过程的仿真。实现了不同温度、不同真空条件下Al2O3的原子层沉积仿真。结果表明：在一定的范围内，前驱体或基片的温度高，反应室真空度低，薄膜生长速率的增长快，表面粗糙度小；基片温度