论文部分内容阅读
利用X射线光电子能谱方法对Si基Er2O3外延薄膜的化学组分进行了分析。在x射线照射样品和氩离子轰击使样品减薄的过程中没有诱发其他的化学反应。研究了清洁的Si和有氧化层的Si衬底上外延生长的Er2O3薄膜的表面和界面化学组分情况，并对上述两种不同的衬底上外延生长Er2O3薄膜的生长模式进行初步探讨。