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本文阐述了当前在ＣＭＯＳ和ＤＲＡＭ中，栅氧化层、ＩＭＤ、ＤＲＡＭ电容器三个方面所用的低介质常数和高介质常数材料的研究动态以及发展方向。
VLSI介质材料的研究动态和发展方向
【摘 要】
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本文阐述了当前在ＣＭＯＳ和ＤＲＡＭ中，栅氧化层、ＩＭＤ、ＤＲＡＭ电容器三个方面所用的低介质常数和高介质常数材料的研究动态以及发展方向。
【机 构】
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中国华晶电子集团公司技术支援中心
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1995年2期
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