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我们提出并试验了一种制备量子点阵的新方法.利用二步法制备的阳极氧化铝上规则排列纳米洞为模板,以紫外脉冲激光(248nm)溅射方法将氧化物经过带纳米洞的模板溅射到单晶Si的衬底上.以荧光材料La0.95Eu0.05BaB9O16为靶材,初步获得了Si衬底上荧光材料的点阵.
产生量子点的一种新方法
【摘 要】
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我们提出并试验了一种制备量子点阵的新方法.利用二步法制备的阳极氧化铝上规则排列纳米洞为模板,以紫外脉冲激光(248nm)溅射方法将氧化物经过带纳米洞的模板溅射到单晶Si的
【机 构】
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Institute of Advanced Materials for Photoelectronics,College of Chemistry and Engineering,Beijing Ke
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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2004年期
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