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延伸漏极N型MOS（EDNMOS）是基于传统低成本CMOS工艺设计制造，用N-well作为NMOS漏极漂移区，以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medicici对该器件进行模拟分析，结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2．5倍，样管在5V栅压下输出的电流可达到750mA。作为开关管工作，对于1000pF容性负载，其工作电流在550mA时，工作频率可达500KHz。