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基于近十三年国际固态电路年度会议（International Solid State Circuit Conference,ISSCC ） 上有关毫米波功率放大器（Power Amplifier，PA）的研究成果，分别从制作工艺、频率范围、电路结构和核心性能参数等方面对毫米波PA的研究进展进行了详细地分析。ISSCC报道的毫米波PA覆盖22～260GHz频率范围，主要采用CMOS、BiCMOSsiGe和SOICMOS等工艺制作而成，为了方便片上系统（System-on-ChiP，SoC）单芯片集成，CMO