Low-Frequency Noise Properties of GaN Schottky Barriers Deposited on Intermediate Temperature Buffer

来源 :黑龙江科技学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanqianggege
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为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7<
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