【摘 要】
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采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li1.1(Zn1-xCrx)As)(x=0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到
【机 构】
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周口师范学院物理与电信工程学院,周口师范学院稀土功能材料及应用实验室,周口师范学院机械与电气工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11405280),河南省科技攻关计划项目(162102210129),周口师范学院2016年度科研创新基金资助项目(zknuA201603).
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采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li1.1(Zn1-xCrx)As)(x=0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时,过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响;其次,分析了Cr掺杂LiZnAs的磁性来源,发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道;最后,研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构,结果显示Cr掺杂LiZnAs体系
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