【摘 要】
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光刻胶经过曝光、显影后的锥角(Taper)和关键尺寸(Develop Inspection Critical Dimension,DICD)是光刻工艺的重要参数。明确影响锥角和DICD的工艺参数,进而控制锥角和DICD,
【机 构】
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重庆京东方光电科技有限公司; 重庆大学物理学院;
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光刻胶经过曝光、显影后的锥角(Taper)和关键尺寸(Develop Inspection Critical Dimension,DICD)是光刻工艺的重要参数。明确影响锥角和DICD的工艺参数,进而控制锥角和DICD,这对工艺制程至关重要。本文结合光刻制程,探究了光刻胶厚度、曝光剂量、Z值、显影时间对锥角和DICD的影响,并结合蒙特卡罗算法对显影制程进行评估。实验结果表明:光刻胶厚度每增加1μm,DICD增加约2.6μm。同时,厚度增加会导致光刻胶顶部的锥角逐渐由锐角向钝角演变。曝光剂量每增加10mJ/s,DICD则减小约0.8μm,锥角则呈阈值跳跃式上升趋势。基板在最佳焦平面曝光,DICD和锥角均一性最好。显影时间每增加10s,DICD下降约0.3m,锥角则增加约1.7°。最终,DICD和锥角呈负相关关系,可以通过调节光刻工艺参数对锥角和DICD进行控制。
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