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提出了新型的Ni／Ag／Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率（SCR）的p-GaN欧姆接触电极。在Ni／Ag／Pt厚度分别为3nm／120nm／2nm的条件下，在500℃、O2气氛中退火3min，获得了80％的光学反射率（460nm处）和4．43×10^-4Q·cm^2的SCR，样品的表面均方根（RMS）粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱（AES）分析表明，Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌，Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。