X射线光刻技术应用现状与前景

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kjc

【摘要】

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鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50 nm及50 nm以下规则等诸多优点,它非常适合应用于100 nm及100 nm以下集成电

【作者】

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谢常青陈大鹏刘明叶甜春伊福廷

【机构】

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中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室,中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室

【出处】

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核技术

【发表日期】

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2004年12期

【关键词】

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接近式X射线光刻纳米电子学单片微波集成电路硅基超大规模集成电路 Proximity X-ray lithography Nanoelectronics

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鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50 nm及50 nm以下规则等诸多优点,它非常适合应用于100 nm及100 nm以下集成电路的生产.本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术(PXL)现状,再分别介绍X射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波集成电路(MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景,并对国内的X射线光刻技术的近期研究进展进行了简要介绍.

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