【摘 要】
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利用高质量自支撑GaN衬底,通过外延方法制备了垂直结构的GaN基p-i-n型二极管结构.通过对材料结构、杂质浓度分布以及对器件整流特性的研究,探究了影响垂直结构器件特性的关键因素.结果 表明,在同质外延的制备过程中,衬底表面的粗糙程度将使制备的环形结构具有不规则形状,这种不规则电极对垂直结构器件的性能将产生不利影响;此外,多种杂质在界面处聚集,进而形成平面漏电通道,是降低器件耐压值的主要因素.
【机 构】
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西安交通大学机械工程学院,西安710000;西安交通大学纳米科学与工程技术学院(苏州),江苏苏州215123;西安交通大学纳米科学与工程技术学院(苏州),江苏苏州215123;西安交通大学材料科学与工
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利用高质量自支撑GaN衬底,通过外延方法制备了垂直结构的GaN基p-i-n型二极管结构.通过对材料结构、杂质浓度分布以及对器件整流特性的研究,探究了影响垂直结构器件特性的关键因素.结果 表明,在同质外延的制备过程中,衬底表面的粗糙程度将使制备的环形结构具有不规则形状,这种不规则电极对垂直结构器件的性能将产生不利影响;此外,多种杂质在界面处聚集,进而形成平面漏电通道,是降低器件耐压值的主要因素.
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