【摘 要】
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利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射（XRD）仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果
【机 构】
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可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室; 云南师范大学太阳能研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金联合基金(U1037604)
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利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射（XRD）仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果表明:单晶硅衬底有利于α-Si/Al膜的晶化;衬底温度从室温到200℃之间逐渐升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;随着温度进一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。单晶硅衬底上200℃时α-Si/Al膜可直接晶化。通过计算,得出衬底参数对薄膜的晶相比、晶粒尺寸、带隙及界面体积分数的调制关系。
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