【摘 要】
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本文研究了Ａｕ／Ｉｎ 等温凝固芯片焊接工艺。对机械振动、压力、Ａｕ ，Ｉｎ 镀层厚度、衬底的表面平整度等因素对焊层的剪切强度、结构和热疲劳可靠性的影响进行了分析和优化。在２５０ ℃－ ３００ ℃之间，实
【机 构】
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本文研究了Ａｕ／Ｉｎ 等温凝固芯片焊接工艺。对机械振动、压力、Ａｕ ，Ｉｎ 镀层厚度、衬底的表面平整度等因素对焊层的剪切强度、结构和热疲劳可靠性的影响进行了分析和优化。在２５０ ℃－ ３００ ℃之间，实现了较大尺寸芯片（３ ×３ｍｍ２） 在较低成本下的快速焊接。焊层在承受－ ５５ ℃－１２５ ℃３２００ 周冷热循环后无明显退化。
This paper studies the Au / In isothermal solidification chip welding process. The influences of mechanical vibration, pressure, thickness of Au and In plating, surface flatness of substrate on the shear strength, structure and thermal fatigue reliability of the solder layer were analyzed and optimized. Between 250 ° C and 300 ° C, fast soldering of larger size chips (3x3mm2) at lower cost is achieved. Solder layer in the bear - 55 ℃ -125 ℃ 3200 cycles after no significant thermal and thermal degradation.
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