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由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度，人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究，其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性，并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式，计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2．0给出的结果作了比较，发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2．0给出的结果，表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化。