论文部分内容阅读
日本技术研究组合极紫外曝光系统技术开发机构成功地研制出下一代半导体曝光装置用极紫外(EUV)光源，其发光点输出达到4W，是目前世界上最高的发光点输出。所开发的光源因是一种激光激励而产生EUV等离子体的光源，利用YAG激光器将Xe等离子化。
下一代半导体工艺曝光用极紫外光源
【摘 要】
：
日本技术研究组合极紫外曝光系统技术开发机构成功地研制出下一代半导体曝光装置用极紫外(EUV)光源，其发光点输出达到4W，是目前世界上最高的发光点输出。所开发的光源因是一种
【出 处】
：
光机电信息
【发表日期】
：
2004年11期
其他文献
研究了宽带高分辨雷达杂波环境中的目标检测问题，提出了基于强散射点径向积累的高分辨极化目标检测方法，利用宽带波形固有的径向高分辨力对目标进行一维距离成像，结合目标的极化
日本ROM公司利用与京都大学教授野田进氏合作开发的二维光子晶体，成功地研制出面发射单模单波长半导体激光器，不仅实现了只有以往约1／25以下的相当低的阈值，而且在-20℃下成功地
本文根据准静态法的特点，利用物理光学法、物理绕射理论和等效电磁流法，分析了飞机旋转螺旋桨叶片的散射特性。计算了雷达接收螺旋桨散射回波信号的时域及频域响应，并分析了它的