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根据GaN氢化物气相外延生长（HVPE）的原理，设计制作了双温区卧式HVPE系统．根据实际生长中出现的问题和GaN样品的测试情况．对系统进行了逐步的调试和改进．
GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作
【摘 要】
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根据GaN氢化物气相外延生长（HVPE）的原理，设计制作了双温区卧式HVPE系统．根据实际生长中出现的问题和GaN样品的测试情况．对系统进行了逐步的调试和改进．
【机 构】
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淮海工学院数理科学系,南京大学物理系
【出 处】
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物理实验
【发表日期】
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2006年3期
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