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128×128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：emily9999

【摘 要】

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报道了128×128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb), 器件采用PIN结构, 焦平面阵列光敏元大小为40 μm × 40 μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长, 以及与读出电路互连等工艺, 得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K 时测试, 器件的100%截止波长为8 μm, 峰值探测率6.0×109 cmHz1/2 W-1.经红外焦平面成像

【作 者】

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许佳佳 金巨鹏 徐庆庆 徐志成 靳川 周易 陈洪雷 林春 陈建新 何力 

【机 构】

：

中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083中国科学院研究生院,北京100049

【出 处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2012年31期

【关键词】

：

长波红外探测器 InAs/GaSb II类超晶格 焦平面阵列 long-wave infrared detector InAs/GaSb superlattic 

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报道了128×128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb), 器件采用PIN结构, 焦平面阵列光敏元大小为40 μm × 40 μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长, 以及与读出电路互连等工艺, 得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K 时测试, 器件的100%截止波长为8 μm, 峰值探测率6.0×109 cmHz1/2 W-1.经红外焦平面成像测试, 探测器可得到较为清晰的成像.

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