【摘 要】
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由于线路杂散电感的存在，IGBT（insulated gate bipolar transistor）开通关断时将在开关管两端产生电压尖峰。为了研究其的影响，需要对线路杂散电感进行抽取。为此，本文提出一种基
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由于线路杂散电感的存在，IGBT（insulated gate bipolar transistor）开通关断时将在开关管两端产生电压尖峰。为了研究其的影响，需要对线路杂散电感进行抽取。为此，本文提出一种基于IGBT开关瞬态电压、电流波形的杂散参数抽取方法。在IGBT的开通过程中，考虑了IGBT反并联二极管的反向恢复过程，井且利刖加该过程引起电压尖峰进行线路的杂散电感的抽取；在IGBT的关断过程中，通过对关断波形进行了更详细的分析，给出更精确的线路杂散电感的抽取方法。最后，将该方法应用于一台75kVA的单
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