【摘 要】
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采用循环伏安法研究了制备CZTS薄膜四元预制层的电化学沉积机理。结合XRD,SEM,EDS和Raman技术分析预制层退火的相转变机制。结果表明：溶液中Cu2＋和Sn2＋浓度不仅影响其本身的沉积
【机 构】
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南京工程学院材料工程学院,江苏省先进结构材料与应用技术重点实验室,南京航空航天大学材料科学与技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61176062);江苏省博士后基金资助(1302005A);南京工程学院在职博士科研资助项目(ZKJ201302);南京工程学院大学生科技创新资助项目(N20140206)
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采用循环伏安法研究了制备CZTS薄膜四元预制层的电化学沉积机理。结合XRD,SEM,EDS和Raman技术分析预制层退火的相转变机制。结果表明：溶液中Cu2＋和Sn2＋浓度不仅影响其本身的沉积速率,还影响溶液中其他金属元素的沉积速率,而Zn2＋浓度仅影响其本身沉积速率。四元预制层的沉积以原子层外延为机理,在负电位作用下,Cu2＋先转变为Cu原子沉积在衬底表面,且与衬底附近析出的S原子发生化学反应,在衬底上生成CuS,同样,SnS和ZnS也以这种方式交替沉积在衬底上。预制层二元硫化物随着退火温度的升高逐渐转
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