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报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN／GaN异质结材料制作的HEMT，器件功率输出密度达4W／mm。通过材料结构及生长条件的优化，利用MOCVD技术获得了二维电子气（2DEG）面密度为0．97×10^13cm^-3、迁移率为1000cm^2／Vs的AIGaN／GaN异质结构材料，用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN／GaNHEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz；负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为