【摘 要】
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IGBT绝缘栅双极性功率晶闸管是MOS管同双极性晶体管结合的产物,一般的IGBT模块都是几合一或一个IGBT一个续流二极管集成而成,IGBT的栅压不能过高,过高很容易击穿,所以IGBT的
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IGBT绝缘栅双极性功率晶闸管是MOS管同双极性晶体管结合的产物,一般的IGBT模块都是几合一或一个IGBT一个续流二极管集成而成,IGBT的栅压不能过高,过高很容易击穿,所以IGBT的门极都并联两个反并联15V～18V的稳压二极管.同时由于人体电容很小,积累少量电荷就能产生高压,所以尽量避免用于触摸IGBT的引脚,同时,在IGBT没有接入电路中长期放置时,应将其门极同阴极短路,在使用中要尤其注意IGBT的瞬态保护,否则很有可能损坏IGBT.
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