【摘 要】
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采用三维仿真研究复杂介质结构深层充电问题,有利于发现由非规则边界条件造成的局部场强畸变点。本文给出了深层充电的三维仿真方案,并进行了实验验证。对正面局部接地情况下
【机 构】
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军械工程学院静电与电磁防护研究所,北京卫星环境工程研究所
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采用三维仿真研究复杂介质结构深层充电问题,有利于发现由非规则边界条件造成的局部场强畸变点。本文给出了深层充电的三维仿真方案,并进行了实验验证。对正面局部接地情况下的电路板内带电进行了三维仿真,考察了局部接地边缘出现的场强畸变特征,并定量分析了金属走线边角曲率半径对畸变场强的作用规律。在地球同步轨道恶劣电子辐射环境下,2mm厚屏蔽铝板下3mm厚电路板的充电结果表明：电路板正面接地与非接地边线处存在显著的场强畸变增大现象,场强峰值较一维规则接地情况高出2个数量级,达到10^7 V/m量级。增大金属走线边角曲率
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