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采用射频（RF）磁控溅射法制备稀土掺杂铁氧化物La0．3Sr0．7FeO3（LSFO）薄膜。电阻一温度关系表明，薄膜在测量温度范围内呈现半导体导电特性，其主要源于Fe3＋和Fe5＋离子的电荷有序排列，同时薄膜存250K时发生电荷有序态转变。激光作用诱导薄膜电阻减小，且光致电阻相对变化在190K时取得极大值为56．3％。利用变程跳跃模型对电阻温度曲线进行分析讨论，表明激光作用的内在机制是激光辐照诱导电子退局域化。