热丝CVD沉积金刚石薄膜过程中的发射光谱研究

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ananqiqi
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发射光谱(OES)是对等离子体过程进行检测和诊断最常用的方法,利用等离子体发射光谱,在甲烷/H2/Ar 和丙酮/H2/Ar 两种碳源体系下,对热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜过程进行了等离子体原位在线测量,研究了两种碳源下等离子体内部各基团种类、强度的差异,以及气压对丙酮体系中各种基团的强度影响。结果表明,两种碳源下主要的基团种类基本相同,但基团谱线差异非常明显。丙酮体系中CH 谱线最尖锐,并且无H2谱线,Ha随气压的增加而减小,其他基团均在3.5 kPa 附近出现最大值;CH4 体系中Ha 谱线强度最大,出现H2 谱线;Ar 基团在两个体系中出现谱峰所对应波长不一样,其中在丙酮系统中为433.36 nm,在CH4体系中为794.8 nm。
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