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[学位论文] 作者：丁杰钦,
来源：中国科学院大学 年份：2013
由于GaN基材料具有宽的带隙、高的电子饱和迁移速度、耐高压、抗辐照、容易形成异质结构、具有大的自发极化效应，因此特别适合制备新一代高频大功率微电子器件和电路，在军民领......
[会议论文] 作者：韩云鑫,巩小亮,陈锋武,丁杰钦,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
AlN has a good application for ultraviolet optoelectronic devices and high power electronics, due to its know n properties of wide direct band gap (～6.1 eV), high temperature stability, and high therm...
[期刊论文] 作者：刘建君,陈宏,丁杰钦,白云,郝继龙,韩忠霖,
来源：电源学报 年份：2020
碳化硅（SiC）具有优良的电学和热学特性，是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET非常适合应用于大功率领域，而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。本文通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同规格......
[期刊论文] 作者：丁杰钦,陈特超,林伯奇,龙长林,杨一鸣,龚杰洪,,
来源：电子工业专用设备 年份：2017
研制了水平热壁式外延沉积系统,设计了双加热器温控系统和水平三层流喷淋系统,介绍了温场和流场获得方法。在偏4°的Si面4H-SiC单晶衬底上进行了工艺验证。研究了生长温...
[期刊论文] 作者：陈特超, 林伯奇, 龙长林, 肖慧, 胡凡, 程文静, 丁杰钦,,
来源：电子工业专用设备 年份：2017
...
[期刊论文] 作者：陈特超,林伯奇,龙长林,肖慧,胡凡,程文静,丁杰钦,杨一鸣,,
来源：电子工业专用设备 年份：2017
碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设...
Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrat
[期刊论文] 作者：井亮,肖红领,王晓亮,王翠梅,邓庆文,李志东,丁杰钦,王占国,
来源：半导体学报：英文版 年份：2013
In this paper,the enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown on patterned sapphire substrates(PSS) was demonstrated.The short-cir...
[期刊论文] 作者：陈特超,林伯奇,龙长林,肖慧,胡凡,程文静,丁杰钦,杨一鸣,龚杰洪,,
来源：电子工业专用设备 年份：2017
碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设...
[期刊论文] 作者：井亮,肖红领,王晓亮,王翠梅,邓庆文,李志东,丁杰钦,王占国,侯洵,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
GaN films are grown on cone-shaped patterned sapphire substrates(CPSSs)by metal-organic chemical vapor deposition,and the influence of the temperature during th...
Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrat
[期刊论文] 作者：井亮,肖红领,王晓亮,王翠梅,邓庆文,李志东,丁杰钦,王占国,侯洵,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
In this paper,the enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown on patterned sapphire substrates(PSS) was demonstrated.The short-cir...
[会议论文] 作者：丁杰钦,肖红领,王翠梅,冯春,陈竑,殷海波,姜丽娟,Jieqin Ding,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Hong Chen,Haobo Yin,Lijuan,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓...
[会议论文] 作者：丁杰钦,Jieqin Ding,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Hong Chen,陈竑,Haobo,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓度和迁移率都明显降低。低温GaN插入层能够有效缓解InAlN在高温下的结构质量退化,从而能够......
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