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[学位论文] 作者：丛忠超,
来源：中国科学院大学 年份：2014
静态随机存储器(Static Random Access Memory)作为使用最广泛的存储器之一，具有功耗低、存取速度快等优点，因而被广泛应用于工业自动化、军事精密武器及航天器的控制系统等领...
[期刊论文] 作者：马武英, 陆妩, 郭旗, 何承发, 吴雪, 王信, 丛忠超,,
来源：物理学报 年份：2014
为了对双极电压比较器在电离辐射环境下的损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件,在不同偏置条件下进行60Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明:电压比较器的...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,周航,,
来源：发光学报 年份：2014
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极...
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiatio
[期刊论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,丛忠超,周航,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories(SRAMs) during total dose irradiation is investigated in detail. As the dose accumulates, the...
[期刊论文] 作者：汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,玛丽娅,孙静,王海娇,丛忠超,马武英,,
来源：物理学报 年份：2014
对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60Co-γ射线辐照试验,着...
[期刊论文] 作者：崔江维,郑齐文,余学峰,丛忠超,周航,郭旗,文林,魏莹,任迪远,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
We investigate how γ exposure impacts the hot-carrier degradation in deep submicron NMOSFET with different technologies and device geometries for the first tim...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,汪波,马武英,玛丽娅,周航,,
来源：物理学报 年份：2014
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结...
[期刊论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,丛忠超,张兴尧,邓伟,张孝富,吴正新,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
The hot-carrier effect charactenstic in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET is investigated. Obvious hot-carrier degradation is observed under off-s...
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