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[期刊论文] 作者：严德圣,周德红,王佃利,
来源：科技风 年份：2014
介绍了一种基于反转光刻胶的电镀工艺,改善了电镀后器件剖面的形貌,有效的减小了后续淀积隔离介质产生的空洞。通过实验,优化了光刻显影工艺参数,并成功应用与批量生产中,提...
[期刊论文] 作者：李菁文,左凌霄,吴迪晟,严德圣,李玉宝,钱声源,,
来源：测绘与空间地理信息 年份：2019
随着我国经济、社会的不断进步,智慧城市、智慧农业等迅速发展,这些科技成就也影响和渗透到学校的全面建设中。在此背景下,人工智能、互联网+、大数据分析、云计算等现代的前沿技术得以深入的研究和应用,智慧校园建设也有序进行并成果显著,学校与智慧城市对接、......
[期刊论文] 作者：李菁文,左凌霄,吴迪晟,严德圣,李玉宝,钱声源,,
来源：山西建筑 年份：2018
在各种因素的影响下,全站仪测距的仪器加常数C不一定保持一个特定的常数,因此对C值进行相关的分析,提出了用于C值检测的"约束三段法",从而解决了需根据场地情况经常检测C值的弊端,达到方便、快捷、精确、对基线场地依赖性不高、随时自行检测的效果。......
[期刊论文] 作者：钱伟,严德圣,丁晓明,周德红,刘雪,高群,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后...
[期刊论文] 作者：应贤炜,王建浩,王佃利,刘洪军,严德圣,顾晓春,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大...
[期刊论文] 作者：应贤炜, 王佃利, 李相光, 梅海, 吕勇, 刘洪军, 严德圣,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
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[期刊论文] 作者：王佃利,刘洪军,吕勇,严德圣,盛国兴,王因生,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠...
[期刊论文] 作者：王佃利, 李相光, 严德圣, 应贤炜, 丁晓明, 梅海, 刘洪军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
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[期刊论文] 作者：刘洪军,王建浩,丁晓明,高群,冯忠,庸安明,严德圣,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
通过进一步优化芯片设计与工艺设计,研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下,脉宽150μs,占空比10%,频率1.2~1.4GHz全带内,输出功率可达370 W以上,增益达...
[期刊论文] 作者：王佃利,李相光,严德圣,丁小明,刘洪军,钱伟,蒋幼泉,王因生,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表...
[期刊论文] 作者：王佃利,李相光,严德圣,应贤炜,丁晓明,梅海,刘洪军,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计...
[期刊论文] 作者：王因生,丁晓明,蒋幼泉,傅义珠,王佃利,王志楠,盛国兴,严德圣,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,...
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