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[学位论文] 作者：严金程,
来源：华中科技大学 年份：2023
目前电力电子系统正朝着高频高可靠性的方向寻找突破,传统的硅基MOSFET功率器件逐渐不能满足系统需求,而GaN功率开关器件有着较快的开关速度、较高的击穿电压等优良特性,正受到市场的重视。但另一方面,开关频率的提升意味着GaN功率器件的开关损耗在总体损耗中占......
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