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[期刊论文] 作者：串利伟,刘玉岭,王辰伟,,
来源：微纳电子技术 年份：2012
在极大规模集成电路Cu布线的化学机械平坦化过程中,抛光后表面薄膜厚度的一致性是检验平坦化能力的重要参数。从抛光过程中晶圆所受背压方面着手,研究了在不同背压参数情况下...
[期刊论文] 作者：郑伟艳, 刘玉岭, 王辰伟, 串利伟, 魏文浩, 岳红维, 曹冠,
来源：功能材料 年份：2012
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[期刊论文] 作者：郑伟艳,刘玉岭,王辰伟,串利伟,魏文浩,岳红维,曹冠龙,,
来源：功能材料 年份：2012
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化（CMP）须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化......
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