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[期刊论文] 作者：高明超,韩荣刚,赵哿,刘江,王耀华,李立,李晓平,乔庆楠,金,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
基于现有工艺平台开发了一款具有自主知识产权的3 300V/50A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。该芯片元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术。...
[期刊论文] 作者：高明超,韩荣刚,赵哿,刘江,王耀华,李立,李晓平,乔庆楠,金锐,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2020
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[期刊论文] 作者：高明超,韩荣刚,赵哿,刘江,王耀华,李立,李晓平,乔庆楠,金锐,温家良,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
基于现有工艺平台开发了一款具有自主知识产权的3 300V/50A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。该芯片元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术。...
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