搜索筛选:
搜索耗时0.0350秒,为你在为你在23,761,000篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者:习毓,,
来源:民营科技 年份:2011
为了解决国外对高频大功率开关晶体管的技术垄断,降低国内产品的购买成本;本文采用理论计算、软件仿真并和本公司工艺线相结合的方法,利用二维仿真软件ISE对平面外延晶体管的...
[期刊论文] 作者:习毓琪,
来源:语文世界:中学生之窗 年份:2020
李白,诗中谪仙也。观其作品,则盛于游历天下与南游流放之时。中华大地,诗文璀璨也。观其佳作,自舜帝《卿云歌》及先秦《击壤歌》以来,则盛于国家大幸后之不幸,诗家不幸后之大...
[期刊论文] 作者:倪磊,习毓,惠东,,
来源:民营科技 年份:2015
主要介绍了Si C材料的显著优点、Si C器件的发展,以及在高温、高频、大功率、抗辐照方面的优势。提出了Si C器件的关键技术和设计思路,最后介绍了Si C器件的应用特点和应用前...
[期刊论文] 作者:习毓芝, 周玉宝,,
来源:世界最新医学信息文摘 年份:2019
近年来我国医疗事业有了很大发展,病案管理是医院管理中的重要内容,为了促进医疗事业的健康、可持续发展,应该不断完善病案管理工作。医院评审可有效提高病案信息的利用率,提...
[期刊论文] 作者:习毓,刘文辉,闫磊,,
来源:黑龙江科技信息 年份:2015
分析了电离总剂量加固的基本理论,提出了先进行P阱注入,高温退火形成要求的P阱结深,再进行高质量Si O2-Si3N4双层栅介质的生长工艺,来提高VDMOS器件的抗辐射能力,加固后器件...
[期刊论文] 作者:陈骞, 丁文华, 习毓, 刘琦, 单长玲,,
来源:科学技术创新 年份:2018
VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑...
[期刊论文] 作者:陈骞, 丁文华, 习毓, 刘琦, 单长玲,,
来源:科学技术创新 年份:2018
通过分析VDMOS产品总剂量和单粒子的失效机理,提出了相应的总剂量和单粒子加固方案,同时对具有抗辐照要求的VDMOS在终端设计和管芯工艺设计中重点需要考虑的问题进行了分析和...
相关搜索: