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[期刊论文] 作者：付朝雪, 刘淑平,,
来源：红外 年份：2010
综述了SiGe应变层的基本性质,包括SiGe应变层的临界厚度与超晶格的稳定性、带隙和能带变化、折射率增量以及等离子色散效应。总结了材料生长中释放应力的两种形式,包括位错和...
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