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[学位论文] 作者：付毅初,
来源：西安电子科技大学 年份：2023
几十年来,随着CMOS器件尺寸进入亚微米级、深亚微米级领域,传统器件所采用的材料和器件工艺尺寸已经接近或达到它们的极限。应变锗技术因为能引起电子和空穴迁移率的提高而逐渐进入人们的视线。因为应变锗的这个优势相当于在工艺条件不变的情况下,可以实现相当......
[期刊论文] 作者：戴显英,李志,张鹤鸣,郝跃,王琳,查冬,王晓晨,付毅初,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2012
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论，通过求解泊松方程，建立了表面Ge沟道pMOSFET的阚值电压模型．基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底...
[会议论文] 作者：李志,戴显英,查冬,王晓晨,王琳,付毅初,宁静,杨程,郑若川,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度......
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