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[学位论文] 作者：仝广运,,
来源：太原理工大学 年份：2018
商用二维Ga N基薄膜LED外延结构的高位错密度、效率骤降、量子限制斯塔克效应、绿隙等问题严重影响了其在大功率、高亮度及长寿命全彩LED中的应用,因而开展新型GaN微/纳阵列...
[期刊论文] 作者：仝广运,贾伟,樊腾,董海亮,李天保,贾志刚,许并社,
来源：发光学报 年份：2019
三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究...
[期刊论文] 作者：赵晨,贾伟,樊腾,仝广运,李天保,翟光美,马淑芳,许并社,,
来源：材料导报 年份：2017
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不...
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