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[学位论文] 作者：任天令,
来源：清华大学 年份：1997
该文以在蓝绿光激光器及光电子器件中具有重要价值的ZnSe和GaAs材料为研究背景,以ZnSe的掺杂与补偿机制研究为重点,对照GaAs中的掺杂问题,运用离散变分-局域密度泛函(DV-LDF)...
[学位论文] 作者：任天令,
来源：山东大学 年份：1994
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[会议论文] 作者：任天令,
来源：中国密码学会2012年密码芯片学术会议 年份：2012
本报告将介绍一种新型高可靠非挥发存储器-铁电存储器，其采用铁电材料的自发极化效应作为存储机制，具有低功耗低、高耐久度、读写速度快、抗辐照能力强、抗解密能力强、易......
[期刊论文] 作者：任天令,
来源：科学通报 年份：2020
随着柔性电子器件的飞速发展,以软体机器人为代表的柔性微机械也成为国内外研究人员关注的前沿和热点[1,2].相比于传统硬质材料的机器人,软体机器人不但可以独立行走、捕捉和...
[期刊论文] 作者：张林涛,任天令,
来源：真空科学与技术 年份：2000
介绍了用溶胶－凝胶方法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料，在９００℃，３０ｍｉｎ退炎条件下制备了硅基ＰＺＴ铁电薄膜。实验分析结果显示，ＰＺＴ铁电薄膜的晶化很完善。研究了ＰＺＴ铁电......
[期刊论文] 作者：任天令,张林涛,
来源：电子器件 年份：2000
在已有的以夫机锆盐为原料，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺基础上，地制备出ＰｂＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３／ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心式新结构。由于采用了这种闪心式结构，使得ＰＺＴ铁电薄膜的退火温度由原来的９００℃降到了７００℃。通过实验检验了......
[期刊论文] 作者：任天令,张林涛,
来源：电子器件 年份：2000
基于现有的硅基Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺，提出了一种用于微麦克风和扬声器的新型ＰＺＴ悬臂式振膜结构。对这种悬臂结构的结构参数进行了优化设计，并对其灵敏度的声输出进行了理论分析。结......
[期刊论文] 作者：任天令,张林涛,
来源：半导体技术 年份：2000
在现有的硅基Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上，提出了一种以ＰＺＴ悬臂式振膜为核心的集成微麦克风和扬声器结构，对其进行了优化设计。对微麦克风和扬声器的灵敏度和声输出进行了理论计算。......
[期刊论文] 作者：任天令,张林涛,
来源：压电与声光 年份：2000
以无机锆盐为原料，用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ／Ｓｉ衬底上制备出一种新型Ｐｂ－ＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＰｂＴｉＯ（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心结构。这种结构对于ＰＺＴ的晶化有很好的促进作用，其最终的退火温度为７００℃Ｃ－Ｖ特性，介电步率响应，漏电等电性能测试表明这一......
[期刊论文] 作者：任天令,张林涛,
来源：压电与声光 年份：2000
在现有Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上，提出并设计了可集成在同一芯片上的基于ＰＺＴ铁电薄膜的压电型微麦克风、扬声器结构，对其灵敏度和声输出进行了理论计算，比较了基于ＰＺＴ和ＺｎＯ两种材料的微麦......
[期刊论文] 作者：任天令,张林涛,
来源：微细加工技术 年份：2000
用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了有ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）过渡层的硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜，顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅。在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜，测试结果表明有ＰＴ过渡层的铁电薄膜......
[期刊论文] 作者：任天令,张盛,
来源：电子科技导报 年份：1999
硅基铁电存储器是通过硅加工工艺在半导体集成电路中集成铁电体材料制成的新型存储器。这种新兴的存储器是铁同集成系统ＦＳＭＩＳ的一个重要应用。有望在低操作电压、低功耗、高存储密......
[期刊论文] 作者：赵洋,任天令,
来源：电子科技导报 年份：1999
对微麦克风的发展过程及研究现状进行了评述，重点介绍了电容式，电压工，铁电式三种微麦克风的研究现状及发展前景。...
[期刊论文] 作者：张林涛,任天令,等,
来源：功能材料 年份：2001
介绍了以硝酸锆、醋本以铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶－凝胶（sol-gel）方法在硅衬底上制备Pb（Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电膜的工艺流程。对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等...
[期刊论文] 作者：李志坚,任天令,
来源：半导体学报 年份：1999
铁电－硅微集成系统是铁电材料与硅工艺与硅工艺相结合的产物，在微电子机械系统，存储器等多方面具有极为重要的应用价值。本文介绍了几种重要的硅基铁电膜的制备方法和几种典型的......
[期刊论文] 作者：沈阳,田禾,任天令,
来源：湘潭大学学报:自然科学版 年份：2019
基于二维钙钛矿优异的光学特性及二维结构下特殊的电学性质,该文综述了近年来基于二维钙钛矿的纳米电子器件.利用二维材料在垂直平面方向固有的电荷传输限制,基于二维钙钛矿...
[期刊论文] 作者：任天令,朱嘉麟,
来源：功能材料 年份：1998
报导了硬脂酸凝胶法制备的ＢａＴｉＯ３纳米晶及烧制的陶瓷材料的特殊物性，用Ｘ射线衍射、高分辨透射电镜、Ｘ荧光光谱、表面光电子能谱、介电谱、热释电谱研究了纳一粉及陶瓷材料的晶体结构，晶......
[期刊论文] 作者：任天令,朱嘉麟,
来源：物理 年份：1996
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况。结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子，激子增益；（４）量......
[期刊论文] 作者：任天令,王玉国,
来源：无机材料学报 年份：1994
用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了ＢａＴｉＯ３超微粉并经烧结获得了不同粒径的陶瓷。用Ｘ射线衍射研究了室温晶体结构。在粉末压块和陶瓷上测得了介电常数的温度依赖性。介电常数－温度曲线表明，随着晶粒尺寸减小，居......
[会议论文] 作者：任天令,朱嘉麟,
来源：'96中国材料研讨会 年份：1996
该文利用ＤＶ－Ｘａ方法研究了ＺｎＳｅ的ｐ型掺杂问题，通过团簇模型得到了ＺｎＳｅ中掺Ｐ掺Ｎ后的结构驰豫和电子结构。结果表明Ｎ相对Ｐ易实现高浓度的ｐ型掺杂。...
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