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[期刊论文] 作者：彭瑞伍,任尧成,
来源：科学通报 年份：1982
一、引言最近由于溴化物熔盐可能成为制备、精炼,再生难熔金属和研究熔盐本性的熔体,因此已有溴化物熔盐的工作发表,金属钛在氯化物熔盐中的电化学研究范围较广,而溴化物熔...
[期刊论文] 作者：陈建新,李爱珍,任尧成,
来源：物理学报 年份：1998
赝配ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ调制掺杂异质结构可以获得很高的电子气面密度和电子迁移率，从而可以制成具有优越高频和低噪声特性的高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）．文中报道ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ调制掺杂异质结构低温下纵向和横向磁阻随......
[期刊论文] 作者：陈建新,李爱珍,齐鸣,任尧成,
来源：功能材料与器件学报 年份：1996
本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二......
[会议论文] 作者：任尧成,李伟,李存才,李爱珍,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可...
[期刊论文] 作者：余庆选,彭瑞伍,励翠云,任尧成,,
来源：Rare Metals 年份：1993
The ternary semiconductor Ga0.5In0.5Pmay be used in optoelectronics andmicrowave devices to overcome the problemssuch as the formations of...
[会议论文] 作者：陈建新,李爱珍,杨全魁,任尧成,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：韦光宇,彭瑞伍,任尧成,丁永庆,,
来源：Rare Metals 年份：1993
GaSb epilayers were grown on GaAs and/or GaSb substrates by MOCVD respectively.The influenceof growth conditions on the properties of the epilayers was studied...
[期刊论文] 作者：张永刚,陈建新,任尧成,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：1995
采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于３０Ｖ，在１０Ｖ偏压......
[期刊论文] 作者：韦光宇,彭瑞伍,丁永庆,任尧成,
来源：稀有金属：英文版 年份：1993
The GalnAsSb quaternary alloys for 2～4 μm long wavelength optoelectronics have been prepared byMOCVD.The growth of buffer layers and the employment of GaSb/GaAs...
[期刊论文] 作者：韦光宇,彭瑞伍,丁永庆,任尧成,,
来源：Rare Metals 年份：1993
The GalnAsSb quaternary alloys for 2～4 μm long wavelength optoelectronics have been prepared byMOCVD.The growth of buffer layers and the employment of GaSb/GaA...
[期刊论文] 作者：施惠英,余海生,任尧成,蒋玉兰,孙秋霞,胡建,
来源：稀有金属 年份：2004
本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。This paper studies the influence of LPE GaAs grow...
[期刊论文] 作者：齐鸣,李爱珍,任尧成,陈建新,张永刚,李存才,
来源：功能材料与器件学报 年份：1995
本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构......
[期刊论文] 作者：施惠英,余海生,李连生,任尧成,江玲娣,孙清,邹元爔,
来源：半导体技术 年份：1979
本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10~(-6)的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ_(77)~K=9.41×10~4～1.22×10~5厘米~2/伏·秒,n_...
[会议论文] 作者：中国科学院上海冶金研究所,张永刚,李全魁,任尧成,李爱珍,陈建新,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张永刚,李全魁,任尧成,李爱珍,陈建新,中国科学院上海冶金研究所,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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