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[期刊论文] 作者：冯锡淇, 任琮欣, 李川, 陈光梦,,
来源：物理学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：傅新定, 任琮欣, 陈国明, 方红丽, 杨洁,,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
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[期刊论文] 作者：傅新定,陈国明,任琮欣,郑廷芳,陈莉芝,方红丽,杨洁,
来源：半导体学报 年份：1985
应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2对单晶硅刻蚀选择比分别为 9:1(CF_4)、15:1(...
[期刊论文] 作者：江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,宋志棠,柳襄怀,郑里平,
来源：功能材料 年份：2004
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混...
[期刊论文] 作者：江炳尧,任琮欣,郑志宏,柳襄怀,樊会明,姚刘聪,李玉涛,苏小保,
来源：中国有色金属学报 年份：2003
采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar...
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